紫外线LED

主题:  应用 近日,日本理化学研究所和松下电工宣佈,用波长282nm的紫外LED,实现全球最大功率10.6mW的室温连续发光已获确认。2008年7月6日~9日,该成果已在伊豆修善寺举办的「第二届氮化物半导体结晶生长国际研讨会(ISGN-2)」上发佈。由此可实现用于杀灭大肠桿菌等的杀菌灯的小型化。此前在280nm波长区域,最大功率为美国南卡罗莱纳大学研究小组的8mW。
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主题:  技术 近日,日本大厂同和电子(DOWA Electronics)宣佈,开发成功了发光波长为325~350nm的深紫外LED芯片。比目前市售的紫外LED发光波长短,实现了该波长范围全球最高水准的输出功率。该公司正在进行旨在实现深紫外LED量产的试验,力争2008年内开始样品供
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主题:  技术 近日LED市场又有新的发展,日本大厂三菱化学(Mitsubishi Chemical Corp.)预计LCD面板及照明用近紫外LED需求将显着增加,计画于2008年3月底斥资15亿日元(约合1390万美元),并购三菱电缆工业(Mitsubishi Cable Industries Ltd)近紫外LED部门,包括生产芯片的全部技术及设备。

三菱电缆在尼崎市(Amagasaki)的近紫外LED生产将移至三菱化学在茨城县(Ushiku, Ibaraki Prefecture)的工厂进行。
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主题:  技术 根据朝日新闻报导,Nitride Demiconductor开发出2款高功率紫外线LED模组,其中「NS375M-CPFX」为370mW,、「NS375M-CPFW」为200mW,较先前的产品130mW大幅增加。主要应用在光树脂硬化、空气清净机、半导体、医疗、生物科技等领域光源。计画于2008年1月出货,「NS375M-CPFX」价格为2万6000日圆。此芯片面积为与先前产品的4倍,并重新评估结晶构造,实现高效率和高输出功率。  网址:  http://www.asahi.com/digital/nikkanko/NKK200711200020.html 来源:  朝日新聞 .. 阅读全文
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主题:  产业 根据日经BP社报导,罗姆(Rohm)试制出了发光波长缩短至350nm的ZnO紫外线LED。此前的ZnO紫外线LED的发光波长为380nm。此次通过在ZnO发光层中注入Mg,缩短了发光波长。具体就是在Zn、O各佔50%的ZnO中注入了相当于Zn的10%的Mg。在ZnO整体中相当于5%。该LED的不足之处是光输出功率小、顺方向电压高。20mA驱动时的光输出功率为1μW左右。目标是提高到1mW。在顺方向电压方面,将力争把20mA驱动时达7~8V的顺方向电压降至5V左右。
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主题:  应用 总部设在日本东京的半导体光电元件厂商Kantum Electronics(ンタムエレクトロニクス),日前宣布推出功率平均可达600mW的强照射LED紫外线硬化装置,这系列紫外线LED照射器的型号有3款。

Kantum指出,型号UV-1售价70万日圆、UV-2为80万日圆,UVF-1为90万日圆,预定年度销售目标为200台。
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