LED芯片大廠美國Cree公司在14-15日在日經電子和日經微器件共同舉辦的LED技術研討會2007上，介紹了在SiC底板上形成的藍色LED的開發狀況，並展示了開發中的藍色LED晶片的結構。   

在藍色LED的光輸出功率方面，Cree預測表示，輸入電流為20mA的產品，最大輸出功率07年7月將達36mW,08年7月將達40mW,09年7月將提高到44mW;輸入電流為350mA的產品，最大光輸出效率07年1月為340mW,預計08年1月可達420mW,09年1月將為500mW,09年10月達到550mW,並將一直提高下去。而與螢光材料組合而成的白色LED，目前量產產品的發光效率為80lm/W,開發產品已達到了120lm/W,09年可望實現量產產品發光效率達120lm/W。   

另外，Cree公司還展示了開發中的藍色LED晶片的結構，它在SiC底板上使得GaN發生外延生長(Epitaxial Growth)。該晶片結構為，不採用下部電極而從表面實現正負極連接的2線焊(Wire Bonding)連接倒裝晶片(Flip Chip)結構。由於沒有下部電極，所以發光層發出的光在GaN層內不再發生反覆反射，與之前的晶片結構相比，晶片的光取出效率將會大大提高。